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    三星、英特尔等各家厂商对决:2020年NADA闪存市场争夺之战

      7月23日消息,据台湾媒体digitimes报道,全球各家NADA Flash供应商都正在争取资料中心最大的储存商机,到2020年将进入新一波技术对决。

      受东芝闪存工厂产线短期停工及日韩贸易战影响,闪存产品的价格在经历了半年的下跌后,也是开始反弹。而国际几大闪存颗粒制造商之间也开始了新一轮的技术竞争,都在争取需求大增的数据中心市场。据悉,随着各家厂商96层堆栈的3D NADA闪存进入量产,2019年下半场将开始新一代制程工艺竞争,三星电子不仅将量产的第六代3D V NADA,其旗下的Z-NAND还将与东芝研发的XL-Flash形成对决,并与英特尔的3D XPoint/Optane、美光的3D XPoint争夺闪存市场。

      业界指出,2020年起NADA闪存技术竞争将分为两大趋势。一方面,各大厂商加快推进从96层至128层堆栈的闪存技术,以达成更具竞争力的产品;另一方面,各大厂商抢攻数据中心及高端商用产品市场的动作更为积极,将主打特殊制程的闪存,以应对数据中心的庞大存储需要。

      此外,2019年全球闪存峰会(Flash Memory Summit)将于8月在美国登场,各家厂商届时会纷纷亮出自家最新的技术产品,展现实力。据透露,将于2019年10月1日正式改名为Kioxia(铠侠)的东芝此次峰会将力推XL-Flash。

      本文编辑:王晓雅

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